[Accueil bibliotech]
Accueil > Les thèses en ligne de l'INP

Elaboration par OM-CVD du semiconducteur composite désordonné GaAs:(SiC,H) : corrélations entre sa structure hétérogène et ses propriétés électroniques

Maury, Francis (1985) Elaboration par OM-CVD du semiconducteur composite désordonné GaAs:(SiC,H) : corrélations entre sa structure hétérogène et ses propriétés électroniques. (Elaboration by OMCVD of the disordered composite semiconductor GaAs : (SiC, H) : correlations between its heterogeneous structure and electronic properties.)

Texte intégral disponible au format :

PDF - Nécessite un logiciel de visualisation PDF comme GSview, Xpdf ou Adobe Acrobat Reader
3.25 Mo

Résumé

Le semiconducteur composite désordonné GaAs:(SiC,H) a été obtenu par OM-CVD à partir des deux précurseurs ClEt2Ga.AsEt3 et Si(CH2-C=CH)4. Les études physicochimiques (EDAX, SIMS et IR) et structurales (RX, Raman et MET) ont montré que ce matériau était constitué de cristallites GaAs dispersés dans une phase désordonnée SixC1-x(H). Cette structure hétérogène conduit, lorsqu'on mesure une propriété électronique à une réponse préférentielle de l'une des deux phases. Ainsi, elles contribuent toutes deux à l'émission photoluminescente du matériau mais son absorption optique serait essentiellement due aux cristallites GaAs et la conductivité électrique serait contrôlée tour à tour par chacune des phases suivant la teneur en SixC1-x. La discussion sur les mécanismes réactionnels montre qu'il est possible, par un choix judicieux des précurseurs organométalliques, d'orienter la croissance vers une structure polyphasée préétablie.

Département ou laboratoire:Laboratoire de Cristallochimie et Réactivité des Matériaux (Toulouse, France)
Directeur de thèse:Constant, G.
Mots-clés:Organométalliques - Dépôts chimiques en phase vapeur - Arséniure de gallium - Semiconducteurs désordonnés - Propriétés optiques et électriques - Mécanisme de décomposition
Sujets:Génie des matériaux
Déposé le:03 Novembre 2004

Administrateur seulement : modifier cet enregistrement


Contacts | Infos légales | Plan du site | Intranet

(c)INP de Toulouse 2012 - Tous droits réservés. -  INP Communication