[Home bibliotech]
Home > Les thèses en ligne de l'INP

Gestion thermique des composants d’électronique de puissance - Utilisation du diamant CVD

Zhang, Zhongda (2012) Gestion thermique des composants d’électronique de puissance - Utilisation du diamant CVD. (Thermal management of power electronics components using the CVD diamond.)

Full text available as:

PDF - Requires a PDF viewer such as GSview, Xpdf or Adobe Acrobat Reader
6.23 Mo

Abstract

L’augmentation de la densité de puissance des convertisseurs d’énergie électrique nécessite une gestion thermique toujours plus performante. La thermique devient même l’élément dimensionnant de ces convertisseurs et est au centre des préoccupations des concepteurs. Le diamant présente des propriétés physico-chimiques exceptionnelles particulièrement adaptées à la gestion thermique des composants semi-conducteurs de l’électronique de puissance. C’est en effet le meilleur matériau isolant et conducteur thermique connu à ce jour. La possibilité de réaliser du diamant polycristallin de manière reproductible par synthèse CVD ouvre aujourd’hui à ce matériau un grand champ d’applications industrielles. Nous avons étudié les potentialités d’applications au domaine particulier de l’électronique de puissance. Nous avons tout d’abord développé une plateforme de simulation COMSOL qui nous permette d’évaluer différentes structures pour optimiser le système de refroidissement des composants d’électronique de puissance. Nous avons alors étudié deux solutions, l’utilisation d’un substrat diamant épais pour reporter les composants ou le dépôt direct d’une fine couche de passivation sur les composants en fin de fabrication. Nous avons ainsi développé une structure à substrat diamant et micropoteaux en cuivre qui permet d’extraire jusqu’à 800 W/cm² sous le composant pour un échauffement de 120°C. Cette structure a été réalisée technologiquement pour valider toute la démarche de simulation et conception. Ce prototype propose des performances particulièrement intéressantes pour l’intégration des convertisseurs d’électronique de puissance à haute densité de puissance. Nous avons également étudié la passivation des composants avec du diamant CVD en lieu et place du SiO2. L’intérêt d’une telle passivation est démontré en simulation et les différentes étapes de la réalisation technologique sont étudiées. Cette dernière partie met en évidence des difficultés qu’il faudra lever si l’on souhaite utiliser le diamant comme couche de passivation. ABSTRACT : The heat transfer is a major obstacle that limits the generalization of the power electronics. During recent years, components have higher performance and smaller size thanks to technological advances in electronic. However, the maximum operation temperature of silicon components has not changed for years. A lot of problems will appear due to the thermal limitation. Thus, electronic circuit design must be accompanied by a thermal study to validate the safe operation. The diamond has outstanding properties. It has several exceptional physical and chemical characteristics. This material is very interesting in plenty of application domains, such as electronics, mechanics, optics and telecommunications. This is the best material for electrical insulators (10MV.cm-1) and thermal conductors (2000W.m-1.K-1, five times more than copper). Nevertheless, the coefficient of thermal expansion of diamond is very close to that of silicon. These properties are particularly interesting in elaborating highly efficient thermal management systems in power electronics domain. In this study, we analyzed and quantified the advantages of the insertion of CVD diamond layer in the innovative thermal management assemblies. We also developed a specific model (We increased a layer of copper micro-pillars on the backside of the diamond substrate) to simulate the working environment of the component. In the simulation, we compared the use of a traditional substrate (AlN) with that of the diamond CVD one in order to confirm that using the diamond substrate reduced thermal resistance. By using MEMS micro-technology, the cooling performance of this structure has been greatly improved. This structure can achieve power dissipation more than 800W/cm². Using CVD diamond for efficient cooling of power devices could be a promising solution and is very interesting in embedded systems. This achievement in temperature range allows designers to increase the power density of system without concerning of heat dissipation and/or greatly extends the lifetime of the device. We also studied the passivation with CVD diamond instead of SiO2.

Department or laboratory:Laboratoire d'Analyse et d'Architecture des Systèmes - LAAS (Toulouse, France)
Directeur de thèse:Schneider, Henri and Tounsi, Patrick
Uncontrolled Keywords:Diamant CVD - Electronique de puissance - Transfert de chaleur - Passivation – MEMS - Gestion thermique. KEYWORDS : CVD Diamond - Power electronics - Heat transfer - Passivation
Subjects:Electrical engineering
Electronics
Electronics > Materials, technology and components of electronics
Deposited On:11 October 2012

Archive Staff Only: edit this record


Contacts | Infos légales | Plan du site | Intranet

(c)INP de Toulouse 2012 - Tous droits réservés. -  INP Communication